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    • 专利摘要:
    EinDraht (12) wird auf einem Isolierfilm (10) auf einem Halbleitersubstrat(1) ausgebildet. Der Draht (12) wird durch einen Siliziumnitridfilm(14), einen anorganischen SOG-Film (20) und einen TEOS-Film (21)bedeckt. Ein Dünnfilmwiderstandselement(30) aus Chromsilizium (CrSi) wird auf der oberen Oberfläche des TEOS-Films(21) ausgebildet. Der spitze Winkel (Kegelwinkel), mit dem eineLinie, die die Punkte eines lokalen Maximums und eines lokalen Minimumseiner Stufe auf der oberen Oberfläche des TEOS-Filmes (21) unterhalbdes Bereiches, in dem das Dünnfilmwiderstandselement(30) ausgebildet ist, verbindet, die Oberfläche des Substrats (1) schneidet,wird auf 10° oderweniger eingestellt.
    公开号:DE102004015282A1
    申请号:DE200410015282
    申请日:2004-03-29
    公开日:2004-10-21
    发明作者:Syuji Kariya Asano；Koji Kariya Eguchi；Yoshiaki Kariya Nakayama
    申请人:Denso Corp；
    IPC主号:H01L21-3205
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit Dünnfilmwiderstandselementen undein Verfahren zur Herstellung derselben.
    [0002] Ineinem Prozess zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einerHalbleiterlinearschaltung, die eine Schaltung ist, die hauptsächlich einenBipolartransistor verwendet, könnenDünnfilmwiderstandselementezum Zwecke der Feineinstellung etc. einer Schaltung in der Halbleitervorrichtungverwendet werden. Das heißt,dass es einen Fall gibt, in dem in der Endstufe des HalbleitervorrichtungsherstellungsprozessesDünnfilmwiderstandselementemit gewünschtenWiderstandswerten in einer hergestellten Schaltung ausgebildet undals ein Teil der Schaltung verwendet werden.
    [0003] 9 zeigt schematisch einBeispiel der Halbleitervorrichtung mit Dünnfilmwiderstandselementen,wie es oben beschrieben ist. In diesem Fall sind Dünnfilmwiderstandselemente 130 ineinem Feldbereich ausgebildet, der oberhalb von ersten und zweitenZwischenisolierfilmen 110, 120 angeordnet ist,die ein Halbleitersubstrat 100 bedecken, und in denen irgendeinElement wie z. B. ein Transistor oder ähnliches nicht ausgebildetist. In diesem Feldbereich ist die obere Oberfläche des zweiten Zwischenisolierfilms 120 relativflach, und somit können dieDünnfilmwiderstandselemente 130 soim Feldbereich ausgebildet werden, dass sie eine gewünschte Charakteristikaufweisen.
    [0004] Dieoben beschriebene Ausbildung der Dünnfilmwiderstandselemente 130im Feldbereich bewirkt eine Vergrößerung des Bereiches der Halbleitervorrichtung.
    [0005] ZurVermeidung der Vergrößerung desBereiches der Halbleitervorrichtung schlägt die JP-A-2002-124639 (Patentdokument 1)vor, die Dünnfilmwiderstandselemente 130 oberhalbeines Bereiches auszubilden, in dem Elemente und Drähte wiein 10 ausgebildet sind.
    [0006] Wenndie Dünnfilmwiderstandselemente 130 wieoben beschrieben oberhalb des Bereiches ausgebildet sind, in demdie Elemente und Drähteausgebildet sind, entsteht eine Stufe an der oberen Oberfläche deszweiten Zwischenisolierfilms 120, wie es in 10 gezeigt ist. Wenn dieDünnfilmwiderstandselemente 130 aufdem Zwischenisolierfilm 120 mit der Stufe ausgebildet sind,erhöhtsich die Streuung des Widerstandswertes auf ein nicht vernachlässigbaresNiveau.
    [0007] Daherist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtungund ein Halbleitervorrichtungsherstellungsverfahren anzugeben, dieeine Streuung der Widerstandswerte der Dünnfilmwiderstandselemente sogardann geeignet unterdrückenkönnen,wenn die Dünnfilmwiderstandselementeoberhalb eines Bereiches ausgebildet werden, in dem Elemente undDrähteausgebildet sind.
    [0008] DieAufgabe wird mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst. Abhängige Ansprüche sindauf bevorzugte Ausführungsformender Erfindung gerichtet.
    [0009] ZurLösungder obigen Aufgabe wird gemäß einerHalbleitervorrichtung eines ersten Aspektes der vorliegenden Erfindungein spitzer Schnittwinkel zwischen der Oberfläche eines Halbleitersubstratsund einer Linie, die Punkte eines lokalen Maximums und Minimumseiner Stufe an der oberen Oberflächeeines Zwischenisolierfilms unterhalb eines Bereichs, in dem dieDünnfilmwiderstandselementeausgebildet sind, verbindet, auf 10° oder weniger eingestellt.
    [0010] Dadie Stufe an der oberen Oberflächedes Zwischenisolierfilms größer ist,erhöhtsich die Streuung der Widerstandswerte der Dünnfilmwiderstandselemente.Insbesondere wurde herausgefunden, dass sich, wenn der Umfang derStufe durch den spitzen Schnittwinkel zwischen der Linie, die diePunkte eines lokalen Maximums und Minimums der Stufe verbindet,und der Oberflächedes Halbleitersubstrats definiert wird, die Streuung des Widerstandswertesab und nach einer Stufe stark erhöht, bei der der spitze Schnittwinkel "10°" übersteigt.
    [0011] Gemäß dem obigenAufbau kann die Streuung der Widerstandswerte der Dünnfilmwiderstandselementedurch Einstellen des spitzen Winkels auf "10°" oder weniger gutunterdrücktwerden.
    [0012] EineHalbleitervorrichtung gemäß einem zweitenAspekt der vorliegenden Erfindung ist mit einem anorganischen Spin-On-Glass-Filmals Zwischenisolierfilm versehen, wobei der anorganische Spin-On-Glass-Filmso ausgebildet ist, dass er den gesamten Bereich unterhalb des Bereiches,in dem die Dünnfilmwiderstandselementeausgebildet sind, bedeckt.
    [0013] Indem obigen Aufbau wird der anorganische Spin-On-Glass-Film verwendet. Der anorganische Spin-On-Glass-Filmbesitzt keine Methyl-Gruppe und verunreinigt somit im Vergleichzu einem organischen Spin-On-Glass-Film kaum einen Stopfen in einemDurchgangsloch. Dementsprechend können, wenn ein Durchgangslochim anorganischen Spin-On- Glass-Filmausgebildet wird, die oberen und unteren Schichten des anorganischen Spin-On-Glass-Filmesdurch das Durchgangsloch in Kontakt miteinander gebracht werden,und es kann eine Verunreinigung im Durchgangsloch vermieden werden.Daher kann der gesamte Bereich unterhalb des Bereiches, in dem dieDünnfilmwiderstandselementeausgebildet sind, durch den anorganischen Spin-On-Glass-Film bedecktwerden. In diesem Fall kann die obere Oberfläche des anorganischen Spin-On-Glass-Filmsdurch eine Rotationsbeschichtung abgeflacht bzw. eingeebnet werden.
    [0014] Ineiner Halbleitervorrichtung gemäß einem drittenAspekt der vorliegenden Erfindung weist der Zwischenisolierfilmeinen anorganischen Spin-On-Glass-Film und einen Isolierfilm einerunteren Schicht des anorganischen Spin-On-Glass-Films auf. Der Isolierfilmder unteren Schicht ist so ausgelegt, dass die obere Oberfläche einesBereiches des Isolierfilmes, der benachbart zu einem Bereich des Isolierfilmesist, oberhalb dessen die Dünnfilmwiderstandselementeausgebildet sind (im Folgenden als "Dünnfilmwiderstandselementausformungsbereich" bezeichnet), größer alsdie obere Oberflächedes Dünnfilmwiderstandselementausformungsbereiches desIsolierfilmes ist.
    [0015] Indem obigen Aufbau fließt,wenn der anorganische Spin-On-Glass-Film durch eine Rotationsbeschichtungbeschichtet wird, das Material des anorganischen Spin-On-Glass-Films zu einemBereich unterhalb des Bereiches, in dem die Dünnfilmwiderstandselemente ausgebildetsind. Dementsprechend kann die obere Oberfläche des Zwischenisolierfilmes unterhalbdes Bereiches, in dem die Dünnfilmwiderstandselementeausgebildet sind, unter Verwendung des anorganischen Spin-On-Glass-Filmessauber abgeflacht werden.
    [0016] Zusätzlich besitztder anorganische Spin-On-Glass-Filmkeine Methylgruppe und verunreinigt somit im Vergleich zu einemorganischen Spin-On-Glass-Film kaum einen Stopfen in einem Durchgangsloch.Dementsprechend können,wenn ein Durchgangsloch im Spin-On-Glass-Film ausgebildet ist, dieoberen und unteren Schichten des Spin-On-Glass-Films durch das Durchgangsloch in Kontaktmiteinander gebracht werden. Daher kann der gesamte Bereich unterhalbdes Bereiches, in dem die Dünnfilmwiderstandselementeausgebildet sind, durch den anorganischen Spin-On-Glass-Film bedeckt werden.In diesem Fall kann das Obere des anorganischen Spin-On-Glass-Filmsdurch eine Rotationsbeschichtung sauber abgeflacht werden.
    [0017] Ineiner Halbleitervorrichtung gemäß einem viertenAspekt der vorliegenden Erfindung werden die Dünnfilmwiderstandselemente oberhalbeines Bereiches ausgebildet, in dem die Drähte ausgebildet sind, und dasIntervall zwischen den Drähtenwird auf "1,7 μm" oder mehr eingestellt.
    [0018] Dadas Intervall zwischen den Drähten,die unterhalb des Bereiches ausgebildet sind, in dem die Dünnfilmwiderstandselementeausgebildet sind, schmaler ist, neigt die Streuung der Widerstandswerteder Dünnfilmwiderstandselementedazu, sich zu erhöhen.Insbesondere wurde herausgefunden, wenn das Intervall zwischen denDrähtenauf "1,7 μm" oder mehr eingestelltwurde, der spitze Schnittwinkel zwischen der Oberfläche desHalbleitersubstrats und der Linie, die die Punkte des lokalen Maximumsund Minimums der Stufe auf der oberen Oberfläche des Zwischenisolierfilmsverbindet, leicht auf "10°" oder weniger eingestelltwerden kann.
    [0019] Dementsprechendkann in dem obigen Aufbau die Streuung des Widerstandswertes durchEinstellen des Intervalls zwischen den Drähten auf "1,7 μm" oder mehr gut unterdrückt werden.
    [0020] Ineiner Halbleitervorrichtung gemäß einem fünften Aspektder vorliegenden Erfindung werden die Dünnfilmwiderstandselemente oberhalbdes Bereiches ausgebildet, in dem die Drähte ausgebildet sind, und diejeweiligen Dünnfilmwiderstandselementeund die jeweiligen Drähtewerden parallel zueinander angeordnet, so dass sich deren Vorstehungenim Wesentlichen überdecken.
    [0021] Indem obigen Aufbau kann durch Ausbilden der Dünnfilmwiderstandselemente undder Drähte derart,dass sie parallel zueinander angeordnet sind und sich ihre Vorstehungenim Wesentlichen einander überdecken,das Auftreten von Stufen an den Bodenoberflächen der Dünnfilmwiderstandselemente entsprechendder Anwesenheit bzw. Abwesenheit von Drähten gut vermieden werden.
    [0022] Außerdem istin einer Halbleitervorrichtung gemäß einem sechsten Aspekt dervorliegenden Erfindung ein anorganischer Spin-On-Glass-Film, der soausgebildet ist, dass er den gesamten Bereich unterhalb des Bereiches,in dem die Dünnfilmwiderstandselementeausgebildet sind, bedeckt, mit dem Isolierzwischenfilm versehen.
    [0023] Imobigen Aufbau wird der anorganische Spin-On-Glass-Film verwendet. Deranorganische Spin-On-Glass-Film besitzt keine Methylgruppe, und somitverunreinigt er im Vergleich zu einem organischen Spin-On-Glass-Filmkaum einen Stopfen in einem Durchgangsloch. Dementsprechend können, wennein Durchgangsloch im anorganischen Spin-On-Glass-Film ausgebildet ist, die oberenund unteren Schichten des anorganischen Spin-On-Glass-Films in Kontaktmiteinander gebracht werden, wobei eine Verunreinigung im Durchgangslochvermieden wird. Daher kann der an organische Spin-On-Glass-Film soausgebildet werden, dass er den gesamten Bereich unterhalb des Bereichesabdeckt, in dem die Dünnfilmwiderstandselementeausgebildet sind. In diesem Fall kann die obere Oberfläche desanorganischen Spin-On-Glass-Films durch eine Rotationsbeschichtungsauber abgeflacht werden. Zusätzlichkann die Streuung der Widerstandswerte der Dünnfilmwiderstandselemente geeignetvermieden werden.
    [0024] EinHalbleitervorrichtungsherstellungsverfahren gemäß einem siebten Aspekt dervorliegenden Erfindung weist auf: einen Schritt des Rotationsbeschichtenseines anorganischen Spin-On-Glass-Films, um den anorganischen Spin-On-Glass-Film alseinen Zwischenisolierfilm auszubilden, wobei die obere Oberfläche desanorganischen Spin-On-Glass-Filmabgeflacht wird, und einen Schritt des Ausbildens irgendeines vondem Dünnfilmwiderstandselementund dem Isolierfilm, der den Zwischenisolierfilm bildet, auf demdurch die Drehbeschichtung abgeflachten anorganischen Spin-On-Glass-Film.
    [0025] Imobigen Herstellungsverfahren wird der anorganische Spin-On-Glass-Filmverwendet. Der anorganische Spin-On-Glass-Film besitzt keine Methylgruppe,und somit verunreinigt er im Vergleich zu einem organischen Spin-On-Glass-Film kaum einen Stopfenin einem Durchgangsloch. Dementsprechend können, wenn ein Durchgangslochim anorganischen Spin-On-Glass-Film ausgebildet ist, die oberenund unteren Schichten des anorganischen Spin-On-Glass-Films in Kontaktmiteinander gebracht und eine Verunreinigung im Durchgangsloch vermiedenwerden.
    [0026] Daherkann im Schritt des Ausbildens des anorganischen Spin-On-Glass-Filmsder anorganische Spin-On-Glass-Filmso ausgebildet werden, dass er den gesamten Bereich unterhalb desBereiches, in dem die Dünnfilmwiderstands elementeausgebildet sind, bedeckt. Das Dünnfilmwiderstandselementoder der Isolierfilm, der den Zwischenisolierfilm bildet, kann direktauf der oberen Oberflächedes anorganischen Spin-On-Glass-Films, der durch die Rotationsbeschichtungabgeflacht wurde, ausgebildet werden, ohne die obere Oberfläche desanorganischen Spin-On-Glass-Filmseiner Behandlung wie z. B. einem Ätzen oder Ähnlichen auszusetzen.
    [0027] Dementsprechendkann gemäß dem oben beschriebenenHerstellungsverfahren die Streuung der Widerstandswerte der Dünnfilmwiderstandselementegeeignet unterdrücktwerden.
    [0028] Dieobigen und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegendenErfindung werden anhand der folgenden detaillierten Beschreibungmit Bezug auf die zugehörigenZeichnungen verdeutlicht. Es zeigen:
    [0029] 1 einen Querschnitt einerHalbleitervorrichtung gemäß einerersten bevorzugten Ausführungsform,
    [0030] 2A bis 2C Diagramme, die die Beziehung zwischender Streuung des "Paarungsvermögens" (pairing performance)der Dünnfilmwiderstandselementeund einer Stufe eines Isolierfilmes unterhalb der Elemente zeigt,
    [0031] 3A bis 3C Diagramme, die die Beziehung zwischender jeweiligen Streuung des "Paarungsvermögens" der Dünnfilmwiderstandselemente sowieder Stufe des Isolierfilmes unterhalb des Elementes und dem Intervalldes unterhalb der Dünnfilmwiderstandselementeausgebildeten Metallfilmes zeigen,
    [0032] 4 einen Graphen, der einenVergleich zwischen Kennlinien von Halbleitervorrichtungen zeigt,bei denen ein anorganischer SOG-Film sowie ein organischer SOG-Filmals Zwischenisolierfilm verwendet werden,
    [0033] 5A bis 5E Querschnitte, die einen Herstellungsprozessgemäß einerAusführungsformzeigen,
    [0034] 6 einen Querschnitt derHalbleitervorrichtung gemäß einerzweiten bevorzugten Ausführungsform,
    [0035] 7 eine Draufsicht auf dieHalbleitervorrichtung gemäß einerdritten bevorzugten Ausführungsform,
    [0036] 8 eine Modifikation derdritten Ausführungsformder 7 gemäß der vorliegendenErfindung,
    [0037] 9 einen Querschnitt einerHalbleitervorrichtung gemäß dem Standder Technik, und
    [0038] 10 einen Querschnitt einerherkömmlichenHalbleitervorrichtung.
    [0039] ImFolgenden werden bevorzugte Ausführungsformengemäß der vorliegendenErfindung mit Bezug auf die zugehörigen Zeichnungen beschrieben.
    [0040] Eineerste Ausführungsformeiner Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung dieser Halbleitervorrichtunggemäß der vorliegendenErfindung werden mit Bezug auf die zugehörigen Zeichnungen beschrieben.
    [0041] 1 ist ein Querschnitt derHalbleitervorrichtung gemäß einerbevorzugten Ausführungsform. DieVorrichtung enthälteinen Isolierfilm 10 wie z. B. einen Siliziumoxidfilm oder Ähnliches,der auf einem Halbleitersubstrat 1 ausgebildet ist, indem wiederum ein Element wie z. B. ein Bipolartransistor Tr oder Ähnlichesausgebildet ist. Auf dem Isolierfilm 10 sind Drähte 12 ausgebildet.Die oberen Oberflächenund die Seitenoberflächender Drähte 12 sinddurch einen Siliziumnitridfilm 14 bedeckt, mit Ausnahmeeiner Kontaktstelle, die in elektrischem Kontakt mit der oberenSchicht gebracht wird. Der Siliziumoxidfilm 14 ist vorgesehen,um die Drähte 12 zuschützen.Außerdemist ein anorganischer Spin-On-Glass-Film (anorganischer SOG-Film) 20 aufdem Siliziumnitridfilm 14 ausgebildet, und außerdem istein TEOS (Tetraethylorthosilikat)-Film 21 auf dem anorganischen Spin-On-Glass-Film 20 ausgebildet.Der TEOS-Film 21 dient als Schutzfilm zur Bedeckung derOberflächedes anorganischen SOG-Films 20, da der anorganische SOG-Film 20 einehohe Hygroskopizitätbesitzt.
    [0042] Dieaus Chrom-Silizium (CrSi) ausgebildeten Dünnfilmwiderstandselemente 30 sindauf der oberen Oberflächedes TEOS-Films 21 ausgebildet, und ein Isolierfilm 40 wiez. B. einem Siliziumnitridfilm oder Ähnliches ist so ausgebildet,dass er die Dünnfilmwiderstandselemente 30 bedeckt.In dem Isolierfilm 40 sind Durchgangslöcher 41 ausgebildet,und die Dünnfilmwiderstandselemente 30 werdendurch die Durchgangslöcher 41 mitDrähten 42 aufdem Isolierfilm 40 in Kontakt gebracht. In der Halbleitervorrichtungdieser Ausführungsform,bei der hauptsächlicheine Halbleiterlinearschaltung, die eine bipolaren Transistor verwendet,angebracht ist, werden die Dünnfilmwiderstandselemente 30 zurDurchführung einerFeineinstellung etc. der Halbleiterlinearschaltung verwendet. Indieser Ausführungsformsind die Dünnfilmwiderstandselemente 30 oberhalbeines Bereiches ausgebildet, in dem Elemente wie z. B. ein BipolartransistorTr etc. und Drähte 12 ausgebildet sind,wodurch eine Vergrößerung desBe reiches der betreffenden Halbleitervorrichtung vermieden wird.
    [0043] Hierwird hinsichtlich einer an der oberen Oberfläche des TEOS-Films 21 auftretendenStufe der spitze Winkel (Kegelwinkel), in dem eine Linie, die diePunkte des lokalen Maximums und Minimums der Stufe verbindet, dieOberflächedes Halbleitersubstrats 1 schneidet, auf "10°" oder weniger eingestellt.Dieses wird im Folgenden mit Bezug auf die 2A bis 2C beschrieben.
    [0044] 2A ist ein Graph experimentellerDaten, die die Beziehung zwischen der Streuung der Widerstandswerteder Dünnfilmwiderstandselementeund dem Kegelwinkel fürdie Stufe an der oberen Oberflächedes Zwischenisolierfilms unterhalb des Bereiches, in dem die Dünnfilmwiderstandselementeausgebildet sind, zeigen. Jeder Punkt (o) der 2A stellt den Mittelwert mehrerer Messwertefür die Streuungdes Paarungsvermögensdar, und die tatsächlichenMesswerte füreinen jeweiligen Punkt (o) sind übereinem Bereich angeordnet, der durch die Linie, die die Punkte (o)verbindet, angedeutet ist. 2B zeigtein Paar Dünnfilmwiderstandselemente L1und L2, die dieselbe Gestalt aufweisen und für das obige Experiment verwendetwerden. 2C ist ein Querschnittlängs derLinie IIC-IIC der 2B.
    [0045] Hierist die Streuung der Widerstandswerte der Dünnfilmwiderstandselemente alsStreuung des Widerstandswertes zwischen den DünnfilmwiderstandselementenL1 und L2, die in derselben Gestalt ausgebildet sind, definiert(Linienbreite von "1bis 10μm", Filmdicke von "10 bis 50 nm") (Streuung des Paarungsvermögens). Dasheißt,dass, wenn die für dieDünnfilmwiderstandselementeL1, L2 gemessenen Widerstandswerte jeweils durch R1, R2 darge stelltwerden, die Streuung des Paarungsvermögens wie folgt definiert wird: (R1 – R2){(R1+ R2)/2} × 100
    [0046] Gemäß 2C sind die in diesem Experimentverwendeten Dünnfilmwiderstandselemente L1,L2 in demselben Prozeß einschließlich einemFilmausbildungsschritt auf der Grundlage von Sputtern und einemBemusterungsschritt auf der Grundlage einer Lithographietechnikausgebildet. Diese DünnfilmwiderstandselementeL1, L2 werden auf dem Zwischenisolierfilm 51 oberhalb desBereiches, in dem die Drähte 50 ausgebildetsind, so ausgebildet, dass sie im Wesentlichen orthogonal zu denDrähten 50 sind.Die oberen Oberflächender DünnfilmwiderstandselementeL1, L2 werden von dem Zwischenisolierfilm 52 bedeckt. DieDünnfilmwiderstandselementeL1 und L2 werden durch Sperrschichten 53, 54 undStopfen 55 mit den Drähten 56 aufdem Zwischenisolierfilm 52 verbunden.
    [0047] DerKegelwinkel ist als ein spitzer Winkel θ definiert, bei dem eine LinieLd, die den Punkt des lokalen Minimums Pmin und den Punkt des lokalen MaximumsPmax einer Stufe auf der oberen Oberfläche des Zwischenisolierfilms 51 verbindet,eine Ebene S parallel zum Halbleitersubstrat schneidet. Hier sindder Punkt des lokalen Maximums Pmax und der Punkt des lokalen MinimumsPmin als Punkte des lokalen Maximums und Minimums einer Stufe definiert, diedurch ein Element (in diesem Fall ein Draht 50) bewirktwird, das unterhalb des Zwischenisolierfilms 51 ausgebildetist. In dem in 2A gezeigtenExperiment wird der Kegelwinkel durch Erhalten des Punktes des lokalenMaximums und des Punktes des lokalen Minimums aus einer Fotografiedes Querschnittes einer Vorrichtung als Gegenstand eines Experimentesbestimmt.
    [0048] Aus 2A ist ersichtlich, dasssich die Streuung des Paarungsvermögens stark bei und nach einerStufe erhöht,bei der der Kegelwinkel "10°" überschreitet. Daher wird indieser Ausführungsformder Kegelwinkel fürdie Stufe an der oberen Oberflächedes in Fig. gezeigten TEOS-Films 21 auf "10°" oder weniger eingestellt.
    [0049] ImFolgenden wird eine Art und Weise des Erstellens des unterhalb derDünnfilmwiderstandselementeausgebildeten Elementes zur Implementierung der obigen Einstellungbeschrieben.
    [0050] ImFalle der 3A sind mehrereMetallfilme 60 aus Aluminium parallel zueinander unterhalbder DünnfilmwiderstandselementeL1, L2 vorgesehen, fürdie die Streuung des Paarungsvermögens zu messen ist, so dassdie Metallfilme 60 im Wesentlichen orthogonal zu den DünnfilmwiderstandselementenL1, L2 angeordnet sind. Danach werden diese Metallfilme 60 durcheinen Siliziumnitridfilm 61 bedeckt, wie es in 3B gezeigt ist (die einenQuerschnitt der 3A entlangder Linie IIIB-IIIB zeigt). Außerdemwird ein anorganischer SOG-Film 62 zwischen den jeweiligenMetallfilmen 60 ausgebildet, um die Stufe zwischen denjeweiligen Metallfilmen auszugleichen. Die obere Seite des anorganischen SOG-Films 62 unddes Siliziumnitridfilms 61 werden von einem TEOS-Film 63 miteiner Filmdicke von 200 bis 400 nm bedeckt. Danach werden die DünnfilmwiderstandselementeL1, L2 auf dem TEOS-Film 63 ausgebildet. Die DünnfilmwiderstandselementeL1, L2 werden in demselben Prozeß ausgebildet, der den Filmausbildungsschrittauf der Grundlage von Sputtern und den Bemusterungsschritt auf derGrundlage der Lithographietechnik aufweist. Außerdem werden die DünnfilmwiderstandselementeL1, L2 von dem Zwischenisolierfilm 65 bedeckt, und dieDünnfilmwiderstandselementeL1, L2 und die Elektroden 66 auf dem Zwischenisolierfilm 65 werdendurch Sperrschichten 67, 68 und Stopfen 69 miteinanderverbunden.
    [0051] Für die obenbeschriebene Bedingung ist in 3C dieStreuung des Paarungsvermögensgezeigt, wenn das Intervall bzw. der Zwischenraum zwischen den Metallfilmen 60 (dargestelltdurch W in 3A) im Bereichvon 0,8 μmbis 10 μmvariiert wird. Wie es in 3C gezeigtist, wird die Streuung des Paarungsvermögens noch mehr verringert,da der Zwischenraum zwischen den Metallfilmen 60 größer ist.Ein Punkt (o) in 3C stelltden Mittelwert mehrerer Messwerte für die Streuung des Paarungsvermögens dar,und die tatsächlichenMesswerte eines jeweiligen Punktes sind über dem Bereich angeordnet,der durch eine Linie, die die Punkte (o) verbindet, angedeutet ist.
    [0052] 3D ist ein Graph, der Kegelwinkelfür Stufenin Bereichen unterhalb der DünnfilmwiderstandselementeL1, L2 auf der oberen Flächedes TEOS-Filmes 63 zeigt, wenn der Zwischenraum zwischenden Metallfilmen 60 im Bereich von 0,8 μm bis 10 μm variiert wird. Wie es in 3D gezeigt ist, verringertsich der Kegelwinkel noch mehr, da der Zwischenraum zwischen denMetallfilmen 60 größer ist.
    [0053] Ausder vorhergehenden Beschreibung kann geschlossen werden, daß sich dieStreuung des Paarungsvermögensaufgrund der Verringerung des Zwischenraums zwischen den Metallfilmen 60 aufGrund der Verringerung des Zwischenraums zwischen den Metallfilmen 60 erhöht, da dieVerringerung des Zwischenraums zwischen den Metallfilmen 60 eineErhöhungdes Kegelwinkels fürdie Stufen in den Bereichen unterhalb der Dünnfilmwiderstandselemente L1,L2 auf der oberen Oberflächedes TEOS-Filmes 63 bewirkt. Es wird vermutet, dass diesesPhänomen auftritt,da, wenn der Zwischenraum zwischen den Metallfilmen 60 schmalist, die Bemusterungsgenauigkeit im Lithographieschritt und dem anschließenden Ätzschrittwährenddes Prozesses der Ausbildung jeweiliger Elemente auf den Metallfilmen 60 nochweiter verringert wird, da das Bemusterungsziel dichter ist.
    [0054] Dementsprechendist es zur Verringerung der Streuung des Paarungsvermögens durchVerringerung des Kegelwinkels wirksam, den Zwischenraum zwischenden Metallfilmen 60 zu erhöhen. Insbesondere ist es aus 3D ersichtlich, dass, wenn derZwischenraum zwischen den Metallfilmen 60 auf 1,7 μm oder mehreingestellt wird, der Kegelwinkel auf 10° oder weniger eingestellt werdenkann.
    [0055] Außerdem istgemäß der vorliegendenErfindung der anorganische SOG-Film 20 mit dem zwischenjeden Draht 12 und jedem Dünnfilmwiderstandselement 30 ausgebildetenZwischenisolierfilm versehen, wie es in 1 gezeigt ist. Dieser anorganische SOG-Film 20 besitztkeine Methylgruppe, und somit verunreinigt er im Vergleich zum organischen SOG-Filmkaum den Stopfen im Durchgangsloch. Dementsprechend kann, wenn deranorganische SOG-Film 20 verwendet wird, sogar dann, wennein Durchgangsloch 23, durch das die oberen und unterenSchichten in Kontakt miteinander gebracht werden, wie es durch einegestrichelte Linie in 1 gezeigtist, ausgebildet ist, der Stopfen im Durchgangsloch 23 geeignetvor einer Verunreinigung geschützt werden.
    [0056] Daherkann, wie es in 1 gezeigtist, der anorganische SOG-Film 20 so ausgebildet werden, dasser den gesamten Bereich unterhalb des Bereiches, in dem die Dünnfilmwiderstandselemente 30 ausgebildetsind, bedeckt. Außerdemkann im Bereich unterhalb des Bereiches, in dem die Dünnfilmwiderstandselemente 30 ausgebildetsind, der anorganische SOG-Film 20 so ausgebildet werden,dass dessen obere Oberflächehöher alsdie oberen Oberflächender Drähte 12 eingestelltwird, was die Stufen auf der oberen Oberfläche des TEOS-Filmes 21 sogaran der niedrigsten Position der oberen Oberfläche des anorganischen SOG-Films 20 bewirkt.Dementsprechend kann das Abflachen der oberen Oberfläche desTEOS-Filmes 21 unterhalb des Bereiches, in dem die Dünnfilmwiderstandselemente 30 ausgebildetsind, unter Verwendung des anorganischen SOG-Filmes 20 unterstützt werden.
    [0057] Wennandererseits der organische SOG-Film eine Methylgruppe aufweist,kann dieser den Stopfen im Durchgangsloch verunreinigen, wenn derorganische SOG-Film in Kontakt mit dem Durchgangsloch kommt. Daherwird, wenn der organische SOG-Film verwendet wird, um die Stufender Elemente und der Drähteauszugleichen, der organische SOG-Film gewöhnlicher Weise an den Seitenoberflächen derElemente und der Drähteausgebildet, so dass der organische SOG-Film nicht in Kontakt mit demDurchgangsloch kommt, wie es in 3B gezeigtist. Wenn jedoch der organische SOG-Film auf die obige Weise ausgebildetwird, wird ein Überätzen durchgeführt, umsicher den Kontakt zwischen dem organischen SOG-Film und dem Durchgangslochzu vermeiden, und somit wird das Abflachen der oberen Oberfläche derElemente und der Drähtenicht notwendiger Weise ausreichend durchgeführt.
    [0058] 4 zeigt die Beziehung zwischendem Zwischenraum zwischen den Metallfilmen, die unterhalb des Bereiches,in dem die Dünnfilmwiderstandselementeausgebildet sind, ausgebildet sind, und dem Kegelwinkel des Zwischenisolierfilmesunterhalb des Bereiches, in dem die Dünnfilmwiderstandselemente ausgebildetsind. Die Punkte (o) und (Δ)in 4 zeigen die Mittelwertemehrerer Messwerte für dieStreuung des Paarungsvermögensim Falle der Verwendung des anorganischen SOG-Filmes bzw. des organischenSOG-Filmes. Die tatsächlichen Messwertesind übereinem Bereich angeordnet, der durch eine Linie, die die jeweiligenPunkte der 4 verbindet,angedeutet ist. Im Falle der Verwendung des anorganischen SOG-Filmeswird der in 1 gezeigteAufbau verwendet, und im Falle der Verwendung des organischen SOG-Filmeswird der in 3B gezeigteAufbau verwendet.
    [0059] Wiees in 4 gezeigt ist,kann der Kegelwinkel der Zwischenisolierschicht unterhalb des Bereiches,in dem die Dünnfilmwiderstandselemente ausgebildetsind, noch leichter im Falle des anorganischen SOG-Filmes als imFalle des organischen SOG-Filmes verringert werden.
    [0060] In 4 ist der Kegelwinkel imFalle der Verwendung des anorganischen SOG-Filmes stets gleich "10°" oder weniger unabhängig vondem Metallfilmzwischenraum, wobei jedoch die Einstellung der 1 vorgenommen wird. Dasheißt,dem ist dann genügegetan, wenn im Bereich unterhalb des Bereiches, in dem die Dünnfilmwiderstandselemente 30 ausgebildetsind, die obere Oberflächedes anorganischen SOG-Films 20 sogar am niedrigsten Punkt deroberen Oberflächedes anorganischen SOG-Films 20 höher als die oberen Oberflächen der Drähte 12 eingestelltwird. Dementsprechend ist in dem Fall, in dem die Filmdicke äußerst kleinist, der Kegelwinkel sogar dann nicht notwendiger Weise gleich 10° oder weniger,wenn der anorganische SOG-Film verwendet wird. Dementsprechend istes sogar dann, wenn der anorganische SOG-Film verwendet wird, vorteilhaft,den Zwischenraum zwischen den Metallfilmen und die Richtung derMetallfilme geeignet zu berücksichtigen,um den Kegelwinkel auf 10° oderweniger einzustellen.
    [0061] ImFolgenden wird der Herstellungsprozeß der Halbleitervorrichtunggemäß dieserAusführungsformmit Bezug auf die 5A bis 5E beschrieben.
    [0062] Indieser Abfolge von Schritten werden zunächst im Schritt der 5A die Drähte 12 ausAluminium oder Ähnlichemauf dem Isolierfilm 12 ausgebildet. Danach werden in einemanschließenden Schrittder 5B die Drähte 12 durcheinen Siliziumnitridfilm 14 bedeckt. In einem Schritt der 5C wird das Material desanorganischen SOG-Films mit einem Rotationsbeschichtungsverfahrenangeordnet und danach schrittweise einer Backbehandlung von 100bis 250°Cund einer Backbehandlung von 300 bis 350°C unterzogen, um den anorganischen SOG-Film 20 auszubilden.
    [0063] Wiees oben beschrieben ist, wird durch eine Rotationsbeschichtung desanorganischen SOG-Films 20 die Wirkung der Stufen der Drähte 12 aufder oberen Flächedes anorganischen SOG-Films 20 gemäßigt.
    [0064] Außerdem wirdin einem Schritt der 5D derTEOS-Film 21 durcheine chemische Dampfabscheidung unter Verwendung eines Plasmaverfahrens(Plasma-CVD-Verfahren) auf dem anorganischen SOG-Film 20 ausgebildet.Danach wird in einem Schritt der 5E einChrom-Silizium (CrSi)-Film durch Sputtern ausgebildet und danacheiner Bemusterung unter Verwendung der Lithographietechnik unterzogen,um die Dünnfilmwiderstandselemente 30 auszubilden.
    [0065] Gemäß der oberenbeschriebenen ersten Ausführungsformwerden die folgenden Wirkungen erzielt: (1)Durch Einstellen des Kegelwinkels auf 10° oder weniger kann die Streuungdes Widerstandswertes geeignet unterdrückt werden. (2) Der anorganische SOG-Film 20 wird als Zwischenisolierfilmverwendet. Der anorganische SOG-Film 20 kann so ausgebildetwerden, dass er den gesamten Bereich unterhalb des Bereiches, indem die Dünnfilmwiderstandselemente 30 ausgebildetsind, bedeckt, und somit kann die Stufe, die auf dem TEOS-Film 21 unterhalbdes Bereiches, in dem die Dünnfilmwiderstandselemente 30 ausgebildetsind, auftritt, geeignet unterdrücktwerden.
    [0066] ImFolgenden wird eine zweite bevorzugte Ausführungsform mit Bezug auf diezugehörigen Zeichnungenbeschrieben, wobei eine Konzentration auf die sich von der erstenAusführungsformunterscheidenden Punkte erfolgt.
    [0067] 6 zeigt den Aufbau einerHalbleitervorrichtung gemäß der zweitenAusführungsform.In 6 werden dieselbenElemente wie diejenigen der 1 mitdenselben Bezugszeichen bezeichnet.
    [0068] Wiees in 6 gezeigt ist,werden gemäß dieserAusführungsformdie oberen Oberflächendes Siliziumnitridfilmes 14, der als Isolierfilm dient,und des Isolierfilmes 10, die in der unteren Schicht des anorganischenSOG-Filmes 20 ausgebildet sind, so eingestellt, daß die oberenOberflächender Isolierfilme 14 und 10 in einem Bereich, derzu einem Bereich benachbart ist, oberhalb dessen die Dünnfilmwiderstandselemente 30 ausgebildetsind, so eingestellt werden, dass sie höher als diejenigen Oberflächen in demBereich sind, in dem die Dünnfilmwiderstandselemente 30 ausgebildetsind. Daher fließt,wenn der anorganische Film 20 mit dem Rotationsbeschichtungsverfahrenangeordnet wird, der anorganische SOG-Film 20 zum Bereichunterhalb des Bereiches, in dem die Dünnfilmwiderstandselemente 30 ausgebildetsind. Dementsprechend kann die Abflachung des Bereiches unterhalbdes Bereiches, in dem die Dünnfilmwiderstandselemente 30 ausge bildetsind, unter Verwendung des anorganischen SOG-Filmes 20 unterstützt werden.
    [0069] Gemäß dieserAusführungsformwerden ein Feldoxidfilm 2 und ein Polysiliziumfilm 3 verwendet, umdie obere Oberflächedes Siliziumnitridfilmes 14 auf die obige Weise einzustellen.Das heißtdass, um die Elemente auf dem Halbleitersubstrat 1 zu trennen,der Feldoxidfilm 2 durch das das LOCOS-Verfahren ausgebildetwird, und danach der Polysiliziumfilm 3 auf dem Feldoxidfilm 2 ausgebildetwird, wodurch die oberen Oberflächendes Siliziumnitridfilmes 14 und des Isolierfilmes 10 soeingestellt werden können,dass sie auf dem Feldoxidfilm 2 und dem Polysiliziumfilm 3 höher alsdie oberen Oberflächender Drähte 12 sind.Dementsprechend kann die obere Oberfläche des anorganischen SOG-Films 20 so ausgebildetwerden, dass sie höherals die oberen Oberflächender Drähte 12 ist.
    [0070] Gemäß der obenbeschriebenen zweiten Ausführungsformkann die folgende Wirkungen zusätzlichzu den Wirkungen (1) und (2) der ersten Ausführungsformerzielt werden: (3) Die oberen Oberflächen desSiliziumnitridfilmes 14, der als der Isolierfilm 14 dient,und der Isolierfilm 10, die in der unteren Schicht desanorganischen SOG-Filmes 20 ausgebildetsind, könnenin einem Bereich, der benachbart zu einem Bereich ist, oberhalbdem die Dünnfilmwiderstandselemente 30 ausgebildetsind, höhereingestellt werden, als in dem Bereich, oberhalb dem die Dünnfilmwiderstandselemente 30 ausgebildetsind. Dementsprechend kann das Abflachen des Bereiches unterhalbdes Bereiches, in dem die Dünnfilmwiderstandselemente 30 ausgebildetsind, unter Verwendung des anorganischen SOG-Filmes 20 unterstützt werden.
    [0071] MitBezug auf 7 wird imFolgenden eine dritte bevorzugte Ausführungsform mit Konzentration aufdie sich von der ersten Ausführungsformunterscheidenden Punkte erläutert.In dieser Ausführungsformwerden dieselben Elemente wie diejenigen der ersten Ausführungsformmit denselben Bezugszeichen bezeichnet.
    [0072] Inder ersten Ausführungsformsind die jeweiligen Dünnfilmwiderstandselemente 30 unddie jeweiligen Drähte 12 soangeordnet, dass sie im wesentlichen orthogonal zueinander sind.In dieser Ausführungsformwerden andererseits die jeweiligen Dünnfilmwiderstandselemente 30 unddie jeweiligen Drähte 12 soausgebildet, dass sie parallel zueinander angeordnet sind und sichihre Vorstehungen im Wesentlichen überlappen. Insbesondere sinddie Vorstehungen der Dünnfilmwiderstandselemente 30 inden Drähten 12 untergebracht.
    [0073] Dementsprechendkann das Auftreten einer Stufe im TEOS-Film 21 entsprechender Anwesenheit bzw. Abwesenheit des Drahtes 12 im Bereichunterhalb des Bereiches, in dem die Dünnfilmwiderstandselemente 30 ausgebildetsind, geeignet vermieden werden.
    [0074] 8 zeigt eine Modifikationder dritten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung.
    [0075] Beidieser Modifikation sind mehrere Dünnfilmwiderstandselemente 200 aufeinem Metalldrahtfilm 150, der eine Energieversorgungsleitung,eine Masseleitung, etc. enthält,angeordnet. Außerdemist ein Zwischenisolierfilm, der aus einem Isolierfilm wie z. B.TEOS, SOG oder Ähnlichemgebildet ist, zwischen dem Metalldrahtfilm und einem jeweiligen Dünnfilmwiderstandselementangeordnet.
    [0076] Mitdiesem Aufbau kann das Paarungsvermögen der Dünnfilmwiderstandselemente gesichert werden.
    [0077] Vondieser Modifikation wird erwartet, dass sie für eine Schaltung angewendetwird, in der eine Energieversorgungsleitung und eine Masseleitung, dieeine relativ großeDrahtbreite aufweisen, in einem Chip vorgesehen sind. Diese Modifikationkann jedoch auch füreine Elektrode einer MDS-Kapazität odereiner Metallkapazität,die einen relativ großen Bereichaufweist, angewendet werden.
    [0078] Wieoben beschrieben ist, kann gemäß dieserAusführungsformdie folgende Wirkung zusätzlichzu den Wirkungen (1) und (2) der ersten Ausführungsformerzielt werden: (4) Die Dünnfilmwiderstandselemente 30 unddie Drähte 12 sindso ausgebildet, dass sie parallel zueinander angeordnet sind undsich ihre Vorstehungen im Wesentlichen überdecken, wodurch das Auftretenirgendeiner Stufe auf dem TEOS-Film 21 aufgrund der Anwesenheitund Abwesenheit von Drähten 12 geeignetvermieden werden kann.
    [0079] DieDünnfilmwiderstandselementegemäß der vorliegendenErfindung werden in geeigneter Weise als Widerstandsgruppe verwendet,die ein Paarungsvermögen(pairing performance) oder ein Einheitsvermögen (unit performance) wiez. B. Widerständefür einenEingang eines Operationsverstärkers(zur Erzeugung einer Bezugsspannung) benötigt.
    [0080] Außerdem istes vorteilhaft, wenn die Dünnfilmwiderstandselementeauf einem Metalldrahtfilm oder einer Elektrode wie in der Modifikationder dritten Ausführungsformangeordnet sind, dass die Widerstandselemente, die als ein Paarverwendet werden, auf einem/einer Draht/Elektrode vorgesehen sind,an die dasselbe Potential angelegt wird, da sogar dann, wenn diesegepaarten Widerstandselemente unter einer Einwirkung eines Potentialsstehen, diese Einwirkung auf diese Widerstandselemente den gleichenPegel aufweist, und somit diese Wirkungen miteinander versetzt werdenkönnen.
    [0081] Dieoben beschriebenen Ausführungsformen können wiefolgt modifiziert werden: Das Material der Dünnfilmwiderstandselementeist nicht auf Chrom-Silizium (CrSi) begrenzt. Zum Beispiel können sieaus CrSiON, SnO2, CrSiN, NiCr, Ta, Cr, CrTi,Ti, TiAl, TiN, Re, β-FaSi,monokristallinem Silizium, polychristallinem Silizium, Wsi, W, TaN, Mo-Si,einem geschichteten Film aus Ti und TiN, einem geschichteten Filmaus Ti und WN oder Ähnlichemausgebildet sein.
    [0082] Derzwischen einem jeweiligen Draht und einem jeweiligen Dünnfilmwiderstandselementvorgesehene Zwischenisolierfilm ist nicht auf die obigen Ausführungsformenbeschränkt.Der Zwischenisolierfilm ist vorzugsweise mit einem anorganischen SOG-Filmversehen.
    [0083] Inden ersten und zweiten Ausführungsformensind die Drähtedurch den Zwischenisolierfilm im Bereich unterhalb des Bereiches,in dem die Dünnfilmwiderstandselementeausgebildet sind, vorgesehen. Anstelle der Drähte können Elemente (Vorrichtungen)ausgebildet sein. Das heißt,in dem Aufbau der 1 können anstelleder Drähte 12 Elemente wiez. B. Bipolartransistoren Tr oder Ähnliches unterhalb der Dünnfilmwiderstandselemente 30 vorgesehensein. In diesem Fall kann eine Streuung der Widerstandswerte derDünnfilmwiderstandselemente aufgrundeiner durch die Elemente verursachten Stufe auftreten. Daher istdie Einstellung des Zwischenisolierfilmes ähnlich der ersten und zweitenAusführungsformeneffektiv.
    [0084] Inder oben beschriebenen zweiten Ausführungsform ist der Ausbildungsbereichdes anorganischen SOG-Filmes nicht auf nur den Bereich unterhalbdes Bereiches begrenzt, in dem die Dünnfilmwiderstandselemente 30 ausgebildet,wie es in 6 gezeigtist, sondern kann auf der gesamten Oberfläche des Halbleitersubstrates 1 ausgebildetsein.
    [0085] Inder oben beschriebenen zweiten Ausführungsform ist die Einrichtungzum Einstellen der Höheder oberen Oberflächedes Isolierfilmes der unteren Schicht des anorganischen SOG-Filmesderart, dass die obere Oberflächedes Isolierfilmes in einem Bereich, der zu einem Bereich des Isolierfilmesunterhalb des Dünnfilmwiderstandselementausformungsbereichesbenachbart ist, höherals diejenige im Dünnfilmwiderstandselementausformungsbereich ist,nicht auf die Ausführungsformender 6 beschränkt. Kurzgesagt kann die unteren Schicht hinsichtlich des Isolierfilmes ingeeigneter Weise mit einer Stufeneinstelleinrichtung versehen sein,um den Bereich benachbart zum Bereich unterhalb des Dünnfilmwiderstandselementsausformungsbereicheshöher alsden Bereich unterhalb des Dünnfilmwiderstandselementausformungsbereiches auszubilden.
    [0086] Sogarwenn kein anorganischer SOG-Film verwendet wird, kann der Kegelwinkelfür dieStufe auf der oberen Oberflächedes Zwischenisolierfilmes unterhalb des Bereiches, in dem die Dünnfilmwiderstandselementeausgebildet sind, durch den Aufbau der dritten Ausführungsformoder durch den Aufbau der dritten Ausführungsform oder durch ausreichendesTrennen der Metallfilme voneinander, wie es in 4 gezeigt ist, auf 10° oder weniger eingestellt werden.
    [0087] Inden ersten und zweiten Ausführungsformensind die Drähte 12 unddie Dünnfilmwiderstandselemente 30 soangeordnet, dass sie im Wesentlichen orthogonal zueinander sind.Der Aufbau dieser Elemente und Drähte ist jedoch nicht auf dieseAusführungsformenbeschränkt.
    [0088] Inden oben beschriebenen Ausführungsformenwird die vorliegende Erfindung füreine Halbleitervorrichtung mit einer Halbleiterlinearschaltung angewendet,die eine Schaltung ist, die hauptsächlich einen Bipolartransistorverwendet. Die Erfindung ist jedoch nicht auf diese Schaltung begrenzt,sondern kann eine Halbleitervorrichtung mit einer darin angebrachtenCMOS-Schaltung sein.
    权利要求:
    Claims (7)
    [1] Halbleitervorrichtung mit einem Dünnfilmwiderstandselement(30, 200) übereinem Zwischenisolierfilm (20, 51) oberhalb einesBereiches, in dem mindestens ein Element oder ein Draht (12)auf einem Halbleitersubstrat (1) ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet,dass ein Kegelwinkel, mit dem eine Linie, die den Punkt eines lokalenMaximums und den Punkt eines lokalen Minimums einer Stufe auf deroberen Oberflächedes Zwischenisolierfilmes unterhalb eines Bereiches, in dem dasDünnfilmwiderstandselementausgebildet ist, verbindet, die Oberfläche des Halbleitersubstratsschneidet, auf 10° oderweniger eingestellt ist.
    [2] Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei derZwischenisolierfilm einen anorganischen Spin-On-Glass-Film (20)aufweist, der so ausgebildet ist, dass er den gesamten Bereich unterhalbdes Bereiches, in dem das Dünnfilmwiderstandselement (30)ausgebildet ist, bedeckt.
    [3] Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei derZwischenisolierfilm einen anorganischen Spin-On-Glass-Film (20)aufweist, und wobei eine obere Oberfläche des Zwischenisolierfilmeseinen zu einem Bereich, in dem das Dünnfilmwiderstandselement ausgebildetist, benachbarten höherenBereich aufweist als der Bereich, in dem das Dünnfilmwiderstandselement nichtausgebildet ist.
    [4] Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis3, wobei das Dünnfilmwiderstandselement (30)auf einem Bereich ausgebildet ist, in dem der Draht (12)ausgebildet ist, und ein Drahtzwischenraum auf 1,7 μm oder mehreingestellt ist.
    [5] Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis3, wobei das Dünnfilmwiderstandselement (30)oberhalb des Bereiches, in dem der Draht (12) ausgebildetist, ausgebildet ist, und das Dünnfilmwiderstandselement(30) und der Draht (12) parallel zueinander angeordnetsind, so dass ihre Vorstehungen einander überlappen.
    [6] Halbleitervorrichtung mit einem Dünnfilmwiderstandselement (30) über einemZwischenisolierfilm (20) oberhalb eines Bereiches, in demmindestens ein Element oder ein Draht (12) ausgebildetist, dadurch gekennzeichnet, dass der Zwischenisolierfilm (20)einen anorganischen Spin-On-Glass-Film aufweist, der so ausgebildetist, dass er den gesamten Bereich unterhalb eines Bereiches, indem das Dünnfilmwiderstandselement(30) ausgebildet ist, bedeckt.
    [7] Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtungmit einem Dünnfilmwiderstandselement(30) übereinem Zwischenisolierfilm (20) oberhalb eines Bereiches,in dem mindestens ein Element oder ein Draht (12) ausgebildetist, wobei das Verfahren aufweist: Rotationsbeschichten einesanorganischen Spin-On-Glass-Filmes(20), um den anorganischen Spin-On-Glass-Film als den Zwischenisolierfilm oberhalbdes Bereiches auszubilden, wobei die obere Oberfläche desanorganischen Spin-On-Glass-Filmes abgeflacht wird, und Ausbildendes Dünnfilmwiderstandselementes(30) oder eines Isolierfilmes, der den Zwischenisolierfilm bildet,auf dem durch das Rotationsbeschichten abgeflachten anorganischenSpin-On-Glass-Filmes.
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    US7298020B2|2007-11-20|
    US20040188770A1|2004-09-30|
    JP2004304068A|2004-10-28|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2010-09-23| 8110| Request for examination paragraph 44|
    2012-09-27| R016| Response to examination communication|
    2016-07-21| R002| Refusal decision in examination/registration proceedings|
    2016-09-02| R003| Refusal decision now final|
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    申请号 | 申请日 | 专利标题
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